IGP20N65H5XKSA1 Single IGBT, 42 A 650 V TO-220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
590 руб.
Кратность заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 180 руб.
Плати частями
от 295 руб. × 4 платежа
от 295 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon IGBT trasistor has a 650 V breakthrough voltage.The maximum junction temperature of transistor is 175°C.
Технические параметры
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 42 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-220-3 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2051 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
