YJG80G06A, Транзистор N-MOSFET, SPLIT GATE TRENCH, полевой, 60В, 50А, 38Вт
![YJG80G06A, Транзистор N-MOSFET, SPLIT GATE TRENCH, полевой, 60В, 50А, 38Вт](https://static.chipdip.ru/lib/968/DOC043968620.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 шт. со склада г.Москва
260 руб.
от 10 шт. —
120 руб.
1 шт.
на сумму 260 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, SPLIT GATE TRENCH, полевой, 60В, 50А, 38Вт Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Вес, г | 0.14 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.