GD150HFL120C8S, IGBT , Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 1071
![GD150HFL120C8S, IGBT , Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 1071](https://static.chipdip.ru/lib/606/DOC033606273.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 шт. со склада г.Москва
7 780 руб.
1 шт.
на сумму 7 780 руб.
Плати частями
от 1 945 руб. × 4 платежа
от 1 945 руб. × 4 платежа
Описание
Силовые IGBTи SiC модули
Технические параметры
Макс.напр.к-э,В | 1200 |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.