DDTC115GCA-7-F

Фото 1/2 DDTC115GCA-7-F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 руб.
Мин. кол-во для заказа 80 шт.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт.5 руб.
от 600 шт.3.90 руб.
Добавить в корзину 80 шт. на сумму 480 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8022693178
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 100K

Технические параметры

Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 3.05 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 82
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 82
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 3000
Серия DDTC115
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.4 mm
Brand Diodes Incorporated
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 100 mA
DC Collector/Base Gain Hfe Min 82
DC Current Gain HFE Max 82
Factory Pack Quantity 3000
Manufacturer Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3
Packaging Cut Tape or Reel
Peak DC Collector Current 100 mA
Product Category Bipolar Transistors-Pre-Biased
Product Type BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
Series DDTC115
Subcategory Transistors
Transistor Polarity NPN

Техническая документация

Datasheet
pdf, 87 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов