CSD17522Q5A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
150 руб.
от 30 шт. —
129 руб.
от 100 шт. —
110.55 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 570 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
DFN-8(4.9x5.8) MOSFETs ROHS
Технические параметры
Brand: | Texas Instruments |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: | 2500 |
Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
Manufacturer: | Texas Instruments |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | VSONP-8 |
Pd - Power Dissipation: | 3 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 3.6 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 12.4 mOhms |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.6 V |
Вес, кг | 16.2 |
Техническая документация
Datasheet CSD17522Q5A
pdf, 328 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов