CSD16401Q5T, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
520 руб.
от 10 шт. —
400 руб.
от 30 шт. —
366 руб.
1 шт.
на сумму 520 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
N-канал 25V 100A (Ta) 3,1W (Ta) Поверхностный монтаж 8-VSON-CLIP (5x6)
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
Pd - рассеивание мощности | 156 W |
Qg - заряд затвора | 21 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.8 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 16 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 30 ns |
Время спада | 12.7 ns |
Высота | 1 mm |
Длина | 6 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | NexFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 168 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 250 |
Серия | CSD16401Q5 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 20 ns |
Типичное время задержки при включении | 16.6 ns |
Торговая марка | Texas Instruments |
Упаковка / блок | VSON-CLIP-8 |
Ширина | 5 mm |
Base Product Number | CSD16401 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 100A (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 12.5V |
Manufacturer Product Page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 40A, 10V |
REACH Status | REACH Affected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | NexFETв„ў -> |
Supplier Device Package | 8-VSON-CLIP (5x6) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | +16V, -12V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250ВµA |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 394 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов