DTA043EEBTL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10800 шт., срок 6-8 недель
4 руб.
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
Добавить в корзину 100 шт.
на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Resistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors.
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | - |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@5mA, 500uA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 20@5mA, 10V |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Transistor Type | One PNP-Pre-Biased |
| Transition Frequency (fT) | 250MHz |
| Base-Emitter Resistor | 4.7kΩ |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -50 V |
| Maximum DC Collector Current | -100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 50 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Minimum DC Current Gain | 20 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-416FL |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Common Emitter |
| Typical Input Resistor | 4.7 kΩ |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
