CSD17382F4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 руб.
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
24 руб.
от 150 шт. —
20 руб.
от 500 шт. —
16.93 руб.
Добавить в корзину 15 шт.
на сумму 450 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
N-канал 30V 2.3A (Ta) 500 мВт (Ta) поверхностный монтаж 3-PICOSTAR
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 2.3 A |
Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
Qg - заряд затвора | 2.1 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 67 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 700 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 111 ns |
Время спада | 270 ns |
Высота | 0.35 mm |
Длина | 1 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | PicoStar |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5.9 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | CSD17382F4 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 279 ns |
Типичное время задержки при включении | 59 ns |
Торговая марка | Texas Instruments |
Упаковка / блок | PICOSTAR-3 |
Ширина | 0.64 mm |
Base Product Number | CSD17382 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2.3A (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 4.5V |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 347pF @ 15V |
Manufacturer Product Page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | 3-XFDFN |
Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 500mA, 8V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | FemtoFETв„ў -> |
Supplier Device Package | 3-PICOSTAR |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250ВµA |
Brand | Texas Instruments |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Fall Time | 270 ns |
Forward Transconductance - Min | 5.9 S |
Height | 0.35 mm |
Id - Continuous Drain Current | 2.3 A |
Length | 1 mm |
Manufacturer | Texas Instruments |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Packaging | Cut Tape |
Pd - Power Dissipation | 500 mW(1/2 W) |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 2.1 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 67 mOhm |
Rise Time | 111 ns |
RoHS | Details |
Tradename | PicoStar |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 279 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 59 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 700 mV |
Width | 0.64 mm |
Вес, г | 744 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 672 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов