RGTH00TK65DGC11
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
445 шт., срок 6-8 недель
1 050 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 10 шт. —
830 руб.
от 50 шт. —
634 руб.
от 100 шт. —
581.81 руб.
5 шт.
на сумму 5 250 руб.
Плати частями
от 1 314 руб. × 4 платежа
от 1 314 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 72 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | RGTH00TK65D |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 35 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-3PFM |
Base Product Number | RGTH00 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 35A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 200A |
ECCN | EAR99 |
Gate Charge | 94nC |
HTSUS | 8541.29.0095 |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input Type | Standard |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-3PFM, SC-93-3 |
Power - Max | 72W |
Reverse Recovery Time (trr) | 225ns |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | TO-3PFM |
Td (on/off) @ 25В°C | 39ns/143ns |
Test Condition | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 35А |
Power Dissipation | 72Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-3PFM |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Datasheet RGTH00TK65DGC11
pdf, 637 КБ
Datasheet RGTH00TK65DGC11
pdf, 888 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.