CSD25404Q3

CSD25404Q3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
210 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.170 руб.
от 30 шт.147 руб.
от 100 шт.123.26 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 420 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8022990368
Бренд: Texas Instruments

Описание

-20-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 6.5 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150

Технические параметры

Brand Texas Instruments
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Factory Pack Quantity 250
Fall Time 12 ns
Height 1 mm
Id - Continuous Drain Current -60 A
Length 3.3 mm
Manufacturer Texas Instruments
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 1 Channel
Package / Case VSON-Clip-8
Packaging Cut Tape
Pd - Power Dissipation 96 W
Product Power MOSFET
Product Category MOSFET
Qg - Gate Charge 10.8 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 150 mOhm
Rise Time 8 ns
RoHS Details
Series CSD25404Q3
Technology Si
Tradename NexFET
Transistor Polarity P-Channel
Type P-Channel MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 35 ns
Typical Turn-On Delay Time 13 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage -20 V
Vgs - Gate-Source Voltage 12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage -0.9 V
Width 3.3 mm

Техническая документация

Документация
pdf, 430 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов