RGTV80TK65DGVC11
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 шт., срок 6-8 недель
1 060 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 10 шт. —
880 руб.
5 шт.
на сумму 5 300 руб.
Плати частями
от 1 325 руб. × 4 платежа
от 1 325 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
The ROHM RGTV series field stop trench IGBT with 2 μs short-circuit tolerance and has built in very fast & soft recovery FRD.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 23 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
| Maximum Power Dissipation | 85 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-3PFM |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Common Emitter |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1257 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
