DTA115EU3HZGT106, 82@5mA,5V One PNP - Pre-Biased 200mW 100mA 50V 500nA SOT-323 Digital Transistors ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3000 шт., срок 6-8 недель
10 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 150 шт. —
8 руб.
от 500 шт. —
6.80 руб.
от 3000 шт. —
5.69 руб.
50 шт.
на сумму 500 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP -50V -0.1A 100kO SOT-323
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходное напряжение | 100 mV |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 100 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 82@5mA, 5V |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
Техническая документация
Datasheet DTA115EU3HZGT106
pdf, 1040 КБ
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
