RGTH50TK65GC11

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

30 шт., срок 6-8 недель

2 240 руб.

Кратность заказа 2 шт.

от 10 шт. — 560 руб.

2 шт. на сумму 4 480 руб.

Плати частями
от 1 120 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8023089374

Бренд: Rohm

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP

Pd - рассеивание мощности	59 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	RGTH50TK65
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	26 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	30
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-3PFM
Collector Emitter Saturation Voltage	1.6В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	26А
Power Dissipation	59Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-3PFM
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный