ZXMS6004FFTA

Фото 1/4 ZXMS6004FFTA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт.86 руб.
от 30 шт.75 руб.
от 100 шт.63.26 руб.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 440 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8023109716
Бренд: DIODES INC.

Описание

Описание IC: power switch; low-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT23F Характеристики
Категория Микросхема
Тип драйвер
Вид выключатель питания, интеллектуальный, low-side switch
Монтаж SMD

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 1.3 A
Maximum Drain Source Resistance 600 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 70 V
Maximum Gate Threshold Voltage 1.5V
Maximum Operating Temperature +125 °C
Maximum Power Dissipation 1.5 W
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Series IntelliFET
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Width 1.7mm
Brand: Diodes Incorporated
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 15 us
Id - Continuous Drain Current: 1.3 A
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature: +125 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: SOT-23F-3
Pd - Power Dissipation: 1.5 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance: 500 mOhms
Rise Time: 10 us
Series: ZXMS6004
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: IntelliFET
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 45 us
Typical Turn-On Delay Time: 5 us
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 700 mV
Brand Diodes Incorporated
Configuration 1 N-Channel
Factory Pack Quantity 3000
Fall Time 15 us
Id - Continuous Drain Current 1.3 A
Manufacturer Diodes Incorporated
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 1 Channel
Package / Case SOT-23F-3
Packaging Reel
Pd - Power Dissipation 1.5 W
Product Category MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance 350 mOhms
Rise Time 10 us
RoHS Details
Technology Si
Tradename Intellifet
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 45 us
Typical Turn-On Delay Time 5 us
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage 5 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 700 mV
Вес, г 0.08

Техническая документация

Datasheet
pdf, 469 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 675 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Переключатели распределения питания, драйверы нагрузки»
Типы корпусов импортных микросхем