IGW50N60TPXKSA1, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.6 В, 319.2 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

Фото 1/2 IGW50N60TPXKSA1, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.6 В, 319.2 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
640 руб.
от 10 шт.490 руб.
от 30 шт.448 руб.
от 90 шт.430.15 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 640 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8023131275
Артикул: IGW50N60TPXKSA1

Описание

Описание БТИЗ транзистор, 80 А, 1.6 В, 319.2 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов) Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Base Product Number IGW50N60 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 80A
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
ECCN EAR99
Gate Charge 249nC
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power - Max 319.2W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series TrenchStopв„ў ->
Supplier Device Package PG-TO247-3
Switching Energy 1.53mJ (on), 850ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C 20ns/215ns
Test Condition 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Вес, г 8.37

Техническая документация

Datasheet IGW50N60TPXKSA1
pdf, 1457 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов