IRF1405PBF, , Транзистор полевой N-канальный , 55В, 133А, 200Вт, 0.005 Ом, корпус TO-220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
74 руб.
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 3 700 руб.
Плати частями
от 925 руб. × 4 платежа
от 925 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
МОП-транзистор MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC
Технические параметры
| Корпус | to-220 | |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С | |
| Емкость, пФ | 5480 | |
| Заряд затвора, нКл | 260 | |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В | |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 55 | |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 169 | |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 5.3 | |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-300 Вт | |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2В | |
| Описание | MOSFET MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC | |
| Способ монтажа | Through Hole | |
| Тип | MOSFET | |
| Тип проводимости | N | |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*41*31/1000 | |
| Упаковка | TUBE, 50 шт. | |
| Id - непрерывный ток утечки | 169 A | |
| Pd - рассеивание мощности | 330 W | |
| Qg - заряд затвора | 170 nC | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.3 mOhms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V | |
| Вид монтажа | Through Hole | |
| Высота | 15.65 mm | |
| Длина | 10 mm | |
| Канальный режим | Enhancement | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Конфигурация | Single | |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Размер фабричной упаковки | 1000 | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Тип транзистора | 1 N-Channel | |
| Торговая марка | Infineon Technologies | |
| Упаковка / блок | TO-220-3 | |
| Ширина | 4.4 mm | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 169A(Tc) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| FET Feature | - | |
| FET Type | N-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5480pF @ 25V | |
| Manufacturer | Infineon Technologies | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) | |
| Package / Case | TO-220-3 | |
| Packaging | Tube | |
| Part Status | Active | |
| Power Dissipation (Max) | 330W(Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3 mOhm @ 101A, 10V | |
| Series | HEXFETВ® | |
| Supplier Device Package | TO-220AB | |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 169 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 5 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V | |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 330 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 170 nC @ 10 V | |
| Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 258 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF1405PBF
pdf, 259 КБ
Документация
pdf, 267 КБ
Datasheet IRF1405
pdf, 250 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
