Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Infineon › IRF4905STRLPBF, , Транзистор полевой ...

IRF4905STRLPBF, , Транзистор полевой P-канальный , 55В, 42А, 170Вт, корпус TO-263-3(D2PAK)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

120 руб.

Кратность заказа 10 шт.

от 50 шт. — 110 руб.

от 100 шт. — 101 руб.

Добавить в корзину 10 шт. на сумму 1 200 руб.

Плати частями
от 300 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8023203907

Артикул: IRF4905STRLPBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные

P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon
Infineon, предлагает линейку дискретных мощных МОП-транзисторов HEXFET®, включая P-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также форм-факторах, которые подходят почти для всех любая компоновка платы и задача теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Технические параметры

Корпус	TO-263(D2PAK)
MSL(Уровень чувствительности к влажности)	1
Диапазон рабочих температур	-55…+150 °С
Емкость, пФ	3500
Заряд затвора, нКл	180
Максимально допустимое напряжение	затвор-исток(Vgs)±20 В
Максимальное напряжение сток-исток, В	55
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А	42
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм	20
Мощность	рассеиваемая(Pd)-170 Вт
Напряжение	пороговое затвора(Vgs th)-4В
Описание	P-Channel 55 V 42A(Tc)170W(Tc)Surface Mount D2PAK
Способ монтажа	поверхностный(SMT)
Тип	MOSFET
Тип проводимости	P
Транспортная упаковка: размер/кол-во	584636/800
Упаковка	REEL, 800 шт.
Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	70 A
Тип корпуса	D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности	170 Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	9.65мм
Высота	4.83мм
Размеры	10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	10.67мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	20 ns
Производитель	Infineon
Типичное время задержки выключения	51 нс
Серия	HEXFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Максимальное сопротивление сток-исток	20 МОм
Максимальное напряжение сток-исток	55 В
Число контактов	3
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	120 нКл
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	3500 pF @ -25 V
Тип канала	A, P
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	42A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	170W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance	20mО© @ 42A,10V
Transistor Polarity	P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	55V
Vgs - Gate-Source Voltage	4V @ 250uA
Brand:	Infineon/IR
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	800
Fall Time:	64 ns
Forward Transconductance - Min:	19 S
Id - Continuous Drain Current:	70 A
Manufacturer:	Infineon
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	TO-263-3
Part # Aliases:	IRF4905STRLPBF SP001559632
Pd - Power Dissipation:	170 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	180 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	20 mOhms
Rise Time:	99 ns
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	P-Channel
Transistor Type:	1 P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	55 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Крутизна характеристики S,А/В	19
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	-4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	20
Температура, С	-55…+175
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	70 A
Maximum Drain Source Resistance	20 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	55 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	170 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	D2PAK(TO-263)
Pin Count	3
Series	HEXFET
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	120 nC @ 10 V
Width	9.65mm
Вес, г	2