IRF5210STRLPBF, , Транзистор полевой P-канальный , 100В, 38A, корпус TO-263-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 50 шт. —
95 руб.
от 100 шт. —
88 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 1 100 руб.
Плати частями
от 275 руб. × 4 платежа
от 275 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
| Корпус | TO-263(D2PAK) | |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С | |
| Емкость, пФ | 2780 | |
| Заряд затвора, нКл | 230 | |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В | |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | -100 | |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | -38 | |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 60 | |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-3.8 Вт | |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2В | |
| Описание | MOSFET MOSFT PCh-100V-0.4A 60mOhm 120nC | |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
| Тип | MOSFET | |
| Тип проводимости | P | |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*51*41/2400 | |
| Упаковка | REEL, 800 шт. | |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 38A | |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 3.1W | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 60mО© @ 38A,10V | |
| Transistor Polarity | P Channel | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | P | |
| Maximum Continuous Drain Current | 38 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 60 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 170 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | D2PAK(TO-263) | |
| Pin Count | 3 | |
| Series | HEXFET | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 150 nC @ 10 V | |
| Width | 9.65mm | |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF5210S, IRF5210L
pdf, 310 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
