IRF540NSTRLPBF, , Транзистор полевой N-канальный , 100В, 33А, 3.8Вт, корпус TO-263-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
57 руб.
Кратность заказа 25 шт.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 1 425 руб.
Плати частями
от 357 руб. × 4 платежа
от 357 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
| Корпус | TO-263(D2PAK) | |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С | |
| Емкость, пФ | 1960 | |
| Заряд затвора, нКл | 71 | |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В | |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 100 | |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 33 | |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 44 | |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-3.8 Вт | |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2В | |
| Описание | MOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC | |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
| Тип | MOSFET | |
| Тип проводимости | N | |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*51*41/800 | |
| Упаковка | REEL, 800 шт. | |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C | |
| Максимальный непрерывный ток стока | 33 А | |
| Тип корпуса | D2PAK (TO-263) | |
| Максимальное рассеяние мощности | 130 Вт | |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж | |
| Ширина | 9.65мм | |
| Высота | 4.83мм | |
| Размеры | 10.67 x 9.65 x 4.83мм | |
| Материал транзистора | Кремний | |
| Количество элементов на ИС | 1 | |
| Длина | 10.67мм | |
| Transistor Configuration | Одинарный | |
| Типичное время задержки включения | 11 ns | |
| Производитель | Infineon | |
| Типичное время задержки выключения | 39 нс | |
| Серия | HEXFET | |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 44 mΩ | |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В | |
| Число контактов | 3 | |
| Категория | Мощный МОП-транзистор | |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 71 нКл при 10 В | |
| Номер канала | Поднятие | |
| Типичная входная емкость при Vds | 1960 пФ при 25 В | |
| Тип канала | N | |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В | |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 33A(Tc) | |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 130W(Tc) | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 44mО© @ 16A,10V | |
| Transistor Polarity | N Channel | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 21 | |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 44 | |
| Температура, С | -55…+175 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 33 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 44 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 130 W | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | D2PAK(TO-263) | |
| Pin Count | 3 | |
| Series | HEXFET | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 71 nC @ 10 V | |
| Width | 9.65mm | |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
