IRF540NSTRLPBF, , Транзистор полевой N-канальный , 100В, 33А, 3.8Вт, корпус TO-263-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
47 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 200 шт. —
44 руб.
50 шт.
на сумму 2 350 руб.
Плати частями
от 589 руб. × 4 платежа
от 589 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
Корпус | TO-263(D2PAK) | |
Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С | |
Емкость, пФ | 1960 | |
Заряд затвора, нКл | 71 | |
Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В | |
Максимальное напряжение сток-исток, В | 100 | |
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 33 | |
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 44 | |
Мощность | рассеиваемая(Pd)-3.8 Вт | |
Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2В | |
Описание | MOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC | |
Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
Тип | MOSFET | |
Тип проводимости | N | |
Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*51*41/800 | |
Упаковка | REEL, 800 шт. | |
Максимальная рабочая температура | +175 °C | |
Максимальный непрерывный ток стока | 33 А | |
Тип корпуса | D2PAK (TO-263) | |
Максимальное рассеяние мощности | 130 Вт | |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж | |
Ширина | 9.65мм | |
Высота | 4.83мм | |
Размеры | 10.67 x 9.65 x 4.83мм | |
Материал транзистора | Кремний | |
Количество элементов на ИС | 1 | |
Длина | 10.67мм | |
Transistor Configuration | Одинарный | |
Типичное время задержки включения | 11 ns | |
Производитель | Infineon | |
Типичное время задержки выключения | 39 нс | |
Серия | HEXFET | |
Минимальная рабочая температура | -55 °C | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
Максимальное сопротивление сток-исток | 44 mΩ | |
Максимальное напряжение сток-исток | 100 В | |
Число контактов | 3 | |
Категория | Мощный МОП-транзистор | |
Типичный заряд затвора при Vgs | 71 нКл при 10 В | |
Номер канала | Поднятие | |
Типичная входная емкость при Vds | 1960 пФ при 25 В | |
Тип канала | N | |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В | |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 33A(Tc) | |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 130W(Tc) | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 44mО© @ 16A,10V | |
Transistor Polarity | N Channel | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA | |
Крутизна характеристики S,А/В | 21 | |
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 44 | |
Температура, С | -55…+175 | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 33 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 44 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
Maximum Power Dissipation | 130 W | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | D2PAK(TO-263) | |
Pin Count | 3 | |
Series | HEXFET | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 71 nC @ 10 V | |
Width | 9.65mm | |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов