N-Channel MOSFET, 51 A, 750 V D2PAK SCT4026DW7HRTL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1000 шт., срок 6 недель
5 860 руб.
1 шт.
на сумму 5 860 руб.
Плати частями
от 1 465 руб. × 4 платежа
от 1 465 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM Automotive grade N-channel SiC power MOSFET is an AEC-Q101 qualified product. This power MOSFET applicable in an automobile and switch mode power supplies.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 51 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 750 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-263-7L |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 13 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 16 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 51 A |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-263-7L |
| Part # Aliases: | SCT4026DW7HR |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 94 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 26 mOhms |
| Rise Time: | 22 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | SiC |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 45 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 750 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -4 V, +21 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.8 V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1421 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
