IRG4PH40UPBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
780 руб.
1 шт.
на сумму 780 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 41 А, 160 Вт
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Collector Current (DC) | 41(A) |
| Collector-Emitter Voltage | 1200(V) |
| Configuration | Single |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | '±20(V) |
| Mounting | Through Hole |
| Operating Temperature (Max) | 150C |
| Operating Temperature (Min) | -55C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | TO-247AC |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Rad Hardened | No |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
