PHB27NQ10T,118
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4800 шт. со склада г.Москва, срок 9 дней
51 руб.
Кратность заказа 800 шт.
800 шт.
на сумму 40 800 руб.
Плати частями
от 10 200 руб. × 4 платежа
от 10 200 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8023500667
Бренд: Nexperia B.V.
Описание
Транзисторы полевые
транз: N-MOSFET 100V 28A <0,05Om
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.04Ом |
| Power Dissipation | 107Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TrenchMOS |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 28А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 107Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.04Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Continuous Drain Current (Id) | 28A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@14A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@1mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.24nF@25V |
| Power Dissipation (Pd) | 107W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 30nC@10V |
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 286 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
