IHW20N120R5

IHW20N120R5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
610 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 610 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8024034192

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 288 W
Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № SP001150026 IHW20N120R5XKSA1
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.55 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 240
Серия RC
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3

Техническая документация

Datasheet IHW20N120R5
pdf, 1901 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов