IHW20N65R5XKSA1, Транзистор IGBT, 650В, 20А, 75Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
560 руб.
1 шт.
на сумму 560 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
The Infineon IGBT is a reverse conducting IGBT with monolithic body diode. This IGBT has powerful monolithic reverse conducting diode with low forward voltage and qualified according to JESD022 for target applications.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 6.51 |
Техническая документация
Datasheet IHW20N65R5XKSA1
pdf, 2120 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
