TCK423G,L3F(S

TCK423G,L3F(S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
200 шт., срок 6-8 недель
82 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 410 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8024115411
Бренд: Toshiba

Описание

TCK423G is an overvoltage protection MOSFET gate driver IC. It has external N-channel MOSFET. Which supports MOSFET operating voltage from 2.7V to 28V with various over voltage lock out line-ups. And this features low standby current, less than 1µA, built in charge pump circuit and MOSFET gate source protection circuit. This gate driver IC is widely used in load switch circuit for mobile, wearable, and IoT equipment etc.

• Gate driver for N-channel common drain MOSFET
• Gate driver for N-channel single high side MOSFET
• High maximum input voltage is VIN max = 40V
• Gate-source protection circuit
• Operating temperature range is -40°C to 85°C
• OVLO threshold, falling is 14.29V
• External MOSFET gate source voltage is 5.6V (Control ON)
• Packaging style is TSON advance

Технические параметры

IC Case / Package WCSP
Задержка Выхода 23мкс
Задержка по Входу 2.9мс
Количество Выводов 6вывод(-ов)
Количество Каналов 2канал(-ов)
Линейка Продукции PW Series
Максимальная Рабочая Температура 85°C
Максимальное Напряжение Питания 28В
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Минимальное Напряжение Питания 2.7В
Монтаж Микросхемы SMD(Поверхностный Монтаж)
Тип входа Non-Inverting
Тип переключателя питания MOSFET

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.