SIHB5N80AE-GE3, MOSFETs N-CHANNEL 800V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
420 руб.
от 10 шт. —
330 руб.
от 100 шт. —
254 руб.
от 500 шт. —
200.60 руб.
1 шт.
на сумму 420 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.4 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.3 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Series | E-Series |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды защитные (TVS)»
Типы корпусов импортных диодов
