SI2308A, 60V 2A 1.25W 160MR@10V,2A 3V@250
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
90000 шт., срок 6-8 недель
6 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
3000 шт.
на сумму 18 000 руб.
Плати частями
от 4 500 руб. × 4 платежа
от 4 500 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор MOSFET SOT23
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 80 мОм/3A, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 | |
| Крутизна характеристики, S | 4.6 | |
| Корпус | SOT-23-3 | |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 2A | |
| Manufacturer | Youtai Semiconductor Co., Ltd. | |
| Package / Case | SOT-23 | |
| Packaging | Tape и Reel(TR) | |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 1.25W | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 160mΩ 2A, 10V | |
| Transistor Polarity | N Channel | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3V 250uA | |
| кол-во в упаковке | 3000 |
Техническая документация
Datasheet SI2308A
pdf, 1497 КБ
Datasheet UMW SI2308A
pdf, 1449 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
