IRF1018EPBF, , Транзистор полевой N-канальный , 60В, 79А, 110Вт, 0.0071 Ом, корпус TO-220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
78 руб.
Кратность заказа 25 шт.
от 50 шт. —
72 руб.
от 100 шт. —
67 руб.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 1 950 руб.
Плати частями
от 489 руб. × 4 платежа
от 489 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
МОП-транзистор MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
Технические параметры
| Корпус | to-220 | |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С | |
| Емкость, пФ | 2290 | |
| Заряд затвора, нКл | 69 | |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В | |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 60 | |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 79 | |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 8.4 | |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-110 Вт | |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2В | |
| Описание | MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB | |
| Способ монтажа | Through Hole | |
| Тип | MOSFET | |
| Тип проводимости | N | |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*41*31/1000 | |
| Упаковка | TUBE, 100 шт. | |
| Id - непрерывный ток утечки | 79 A | |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W | |
| Qg - заряд затвора | 46 nC | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.5 mOhms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V | |
| Вид монтажа | Through Hole | |
| Высота | 15.65 mm | |
| Длина | 10 mm | |
| Другие названия товара № | SP001574502 | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Конфигурация | Single Dual Drain | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Размер фабричной упаковки | 1000 | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Тип транзистора | 1 N-Channel | |
| Торговая марка | Infineon Technologies | |
| Упаковка / блок | TO-220-3 | |
| Ширина | 4.4 mm | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 79A(Tc) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| FET Feature | - | |
| FET Type | N-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2290pF @ 50V | |
| Manufacturer | Infineon Technologies | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) | |
| Package / Case | TO-220-3 | |
| Packaging | Tube | |
| Part Status | Active | |
| Power Dissipation (Max) | 110W(Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4mOhm @ 47A, 10V | |
| Series | HEXFETВ® | |
| Supplier Device Package | TO-220AB | |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100ВµA | |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
