IRF7342TRPBF, , Сборка из полевых транзисторов , 2P-канальный, 55 В, 3.4 А, 2 Вт, корпус SOIC-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
62 руб.
Кратность заказа 25 шт.
от 100 шт. —
54 руб.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 1 550 руб.
Плати частями
от 389 руб. × 4 платежа
от 389 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
| Корпус | SOIC-8 | |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С | |
| Емкость, пФ | 690 | |
| Заряд затвора, нКл | 38 | |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | -55 | |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | -3, 4 | |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 105 | |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-2 Вт | |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1В | |
| Описание | MOSFET MOSFT DUAL PCh-55V 3.4A | |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
| Тип | MOSFET | |
| Тип проводимости | 2P | |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 57*45*44/4000 | |
| Упаковка | REEL, 4000 шт. | |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 3.4A | |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 2W | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 105mО© @ 3.4A,10V | |
| Transistor Polarity | 2 P Channel(Double) | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1V @ 250uA | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 3.3 | |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -1 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 105 | |
| Температура, С | -55…+150 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | P | |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.4 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 170 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 2 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Package Type | SOIC | |
| Pin Count | 8 | |
| Series | HEXFET | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 26 nC @ 10 V | |
| Width | 4mm | |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF7342TRPBF
pdf, 158 КБ
IRF7342 Datasheet
pdf, 136 КБ
Datasheet IRF7342
pdf, 327 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
