2N7002KW_R1_00001

2N7002KW_R1_00001
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
12960 шт., срок 6-8 недель
5 руб.
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт.4 руб.
от 600 шт.2.90 руб.
от 3000 шт.2.46 руб.
100 шт. на сумму 500 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8024577375

Технические параметры

Brand: Panjit
Channel Mode: Enhancement
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Forward Transconductance - Min: 100 mS
Id - Continuous Drain Current: 115 mA
Manufacturer: Panjit
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: SOT-323-3
Pd - Power Dissipation: 200 mW
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 800 pC
Rds On - Drain-Source Resistance: 3 Ohms
Series: NFET-035TA
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 40 ns
Typical Turn-On Delay Time: 20 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.5 V

Техническая документация

Datasheet
pdf, 274 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.