IGB10N60TATMA1, Транзистор БТИЗ, 600В, 10А, 110Вт, PG-TO263-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
350 руб.
от 10 шт. —
240 руб.
от 30 шт. —
210 руб.
1 шт.
на сумму 350 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Transistors/Thyristors\IGBTs
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology.
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 10 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 110 W |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | D2PAK(TO-263) |
Pin Count | 3 |
Switching Speed | 1MHz |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 1.66 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов