MBR2H200SFT1G, Schottky Diodes & Rectifiers REC SOD123 2A 200V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
160 руб.
от 10 шт. —
140 руб.
от 100 шт. —
85 руб.
от 500 шт. —
63.98 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 160 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Diodes & Rectifiers\Schottky Diodes & Rectifiers
This ON Semiconductor Schottky power rectifier employs the Schottky barrier principle using a barrier metal to create the best forward voltage drop−reverse current exchange.
Технические параметры
| Diode Configuration | Single |
| Diode Technology | Schottky Barrier |
| Diode Type | Schottky |
| Maximum Continuous Forward Current | 2A |
| Maximum Forward Voltage Drop | 940mV |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOD-123 |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 30A |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 200V |
| Pin Count | 2 |
| Rectifier Type | Schottky Rectifier |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 62 КБ
Datasheet MBR2H200SFT1G
pdf, 69 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды Шоттки»
Типы корпусов импортных диодов
