RGTH00TS65DGC13, IGBTs High-Speed Switching Type, 650V 30A, Built in FRD, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
600 шт., срок 5-7 недель
1 730 руб.
от 10 шт. —
1 470 руб.
от 25 шт. —
1 280 руб.
от 100 шт. —
1 170.55 руб.
1 шт.
на сумму 1 730 руб.
Плати частями
от 434 руб. × 4 платежа
от 434 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
ROHM Field Stop Trench IGBT is an IGBT with high speed switching. It has low collector emitter saturation voltage .
Технические параметры
Configuration | Single Collector, Single Emitter, Single Gate |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 85 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
Maximum Power Dissipation | 277 W |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | TO-247GE |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 888 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.