FP50R12KE3BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
51 370 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 513 700 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
Описание Модуль CBI, 1200В 75A ECONO Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | модуль |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 75 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 280 W |
| Number of Transistors | 7 |
| Automotive | No |
| Channel Type | N |
| Configuration | Hex |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 1200 |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 75 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.4 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 125 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 270 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Mounting | Screw |
| Packaging | Tray |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 35 |
| Pin Count | 35 |
| PPAP | No |
| Supplier Package | ECONO3-3 |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 747 КБ
Datasheet FP50R12KE3BOSA1
pdf, 565 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
