AFGHL50T65SQDC, 238W 100A 650V FIeld Stop TO-247-3L IGBTs
![AFGHL50T65SQDC, 238W 100A 650V FIeld Stop TO-247-3L IGBTs](https://static.chipdip.ru/lib/335/DOC030335040.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 530 руб.
1 шт.
на сумму 4 530 руб.
Плати частями
от 1 134 руб. × 4 платежа
от 1 134 руб. × 4 платежа
Описание
Using novel field stop IGBT and SiC SBD technology, ON semiconductor's new series of hybrid IGBTs offer the optimum performance for hard switching application.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum DC Collector Current | 100 A |
Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 238 W |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 8 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 310 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов