BDV64BG, Транзистор PNP, биполярный, Дарлингтон, 100В, 10А, 125Вт, TO247
![Фото 1/2 BDV64BG, Транзистор PNP, биполярный, Дарлингтон, 100В, 10А, 125Вт, TO247](https://static.chipdip.ru/lib/806/DOC043806615.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/667/DOC032667645.jpg)
790 руб.
1 шт.
на сумму 790 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Транзисторы
Описание Транзистор биполярный PNP Дарлингтон BDV64BG от ONSEMI - идеальный выбор для проектов, требующих высоких напряжений и токов. С монтажом THT, этот компонент обеспечивает ток коллектора до 10 А и напряжение коллектор-эмиттер до 100 В, при мощности 125 Вт. Упакованный в надежный TO247 корпус, он гарантирует долговечность и стабильность в широком диапазоне областей применения. Модель BDV64BG отличается высокой эффективностью и простотой в интеграции с вашими проектами. Используя BDV64BG, вы получаете надежность и производительность от ведущего производителя ONSEMI, что делает его отличным выбором для разработчиков и инженеров. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | PNP, Дарлингтон |
Монтаж | THT |
Ток коллектора, А | 10 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 100 |
Мощность, Вт | 125 |
Корпус | TO247 |
Технические параметры
Корпус | to247 | |
Вид | PNP, Дарлингтон | |
Монтаж | THT | |
Мощность, Вт | 125 | |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 100 | |
Тип | биполярный | |
Ток коллектора, А | 10 | |
Collector Current (DC) | 10(A) | |
Collector Current (DC) (Max) | 10 A | |
Collector-Base Voltage | 100(V) | |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 2(V) | |
Collector-Emitter Voltage | 100(V) | |
Configuration | Single | |
DC Current Gain | 1000 | |
Emitter-Base Voltage | 5(V) | |
Maximum Collector Cut-off Current | 400 | |
Mounting | Through Hole | |
Number of Elements | 1 | |
Operating Temp Range | -65C to 150C | |
Operating Temperature Classification | Military | |
Package Type | TO-247 | |
Packaging | Rail/Tube | |
Pin Count | 3+Tab | |
Polarity | PNP | |
Power Dissipation | 125(W) | |
Rad Hardened | No | |
Maximum Collector Base Voltage | 100 V dc | |
Maximum Collector Emitter Voltage | -100 V | |
Maximum DC Collector Current | -10 A | |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V dc | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 125 W | |
Mounting Type | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Type | PNP | |
Collector Current (Ic) | 10A | |
Collector cut-off current (Icbo@Vcb) | 1mA | |
Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 2V@5A, 20mA | |
Collector-emitter voltage (Vceo) | 100V | |
DC current gain (hFE@Vce,Ic) | 1000@4V, 5A | |
Operating Temperature | -65℃~+150℃@(Tj) | |
Power Dissipation (Pd) | 125W | |
Transition frequency (fT) | - | |
Вес, г | 6.13 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов