STGP20H65DFB2, TO-220 IGBTs ROHS

Фото 1/2 STGP20H65DFB2, TO-220 IGBTs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
19 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
800 руб.
от 10 шт.620 руб.
1 шт. на сумму 800 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8025033427
Артикул: STGP20H65DFB2
Бренд: STMicroelectronics

Описание

The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure.

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
Maximum Continuous Collector Current 40 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Power Dissipation 147 W
Number of Transistors 1
Package Type TO-220
Pin Count 3
Вес, г 2.88

Техническая документация

Datasheet STGP20H65DFB2
pdf, 311 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.