STGP20H65DFB2, TO-220 IGBTs ROHS
![Фото 1/2 STGP20H65DFB2, TO-220 IGBTs ROHS](https://static.chipdip.ru/lib/220/DOC047220363.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/220/DOC047220366.jpg)
19 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
800 руб.
от 10 шт. —
620 руб.
1 шт.
на сумму 800 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 147 W |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Вес, г | 2.88 |
Техническая документация
Datasheet STGP20H65DFB2
pdf, 311 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.