C3M0065100K, SiC MOSFETs 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2214 шт., срок 5-7 недель
5 660 руб.
от 10 шт. —
4 810 руб.
от 30 шт. —
4 150 руб.
от 60 шт. —
3 683.98 руб.
1 шт.
на сумму 5 660 руб.
Плати частями
от 1 415 руб. × 4 платежа
от 1 415 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
New C3M Silicon Carbide (SiC) MOSFET technology Minimum of 1000 V Drain-Source Breakdown Voltage across the entire operating temperature range
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 4.8V |
Maximum Continuous Drain Current | 35 A |
Maximum Drain Source Resistance | 90 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 1000 V |
Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +19 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Maximum Power Dissipation | 113.5 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247-4 |
Pin Count | 4 |
Series | C3M |
Transistor Material | SiC |
Typical Gate Charge @ Vgs | 35 nC 15 V, 35 nC 4 V |
Width | 5.21mm |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.