DDTC115TE-7-F, 100@1mA,5V 1 NPN - Pre BIased 150mW 100mA 50V 500nA SOT-523 DIgItal TransIstors
![DDTC115TE-7-F, 100@1mA,5V 1 NPN - Pre BIased 150mW 100mA 50V 500nA SOT-523 DIgItal TransIstors](https://static.chipdip.ru/lib/596/DOC016596192.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
10 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 140 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 0.1 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 100 |
DC Current Gain hFE Max: | 600 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-523-3 |
Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
Peak DC Collector Current: | 100 mA |
Product Category: | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
Series: | DDTC115 |
Subcategory: | Transistors |
Transistor Polarity: | NPN |
Type: | NPN Small Signal Surface Mount Transistor |
Typical Input Resistor: | 100 kOhms |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 425 КБ
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов