GD400HFY120C2S, Модуль силовой IGBT полумостовой 1200В, 400А, +175°C

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

8 шт. со склада г.Москва, срок 8-10 дней

12 040 руб.

от 2 шт. — 11 410 руб.

от 3 шт. — 10 870 руб.

от 4 шт. — 10 710 руб.

1 шт. на сумму 12 040 руб.

Плати частями
от 3 010 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8025228426

Артикул: GD400HFY120C2S

Бренд: STARPOWER

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT

Модуль силовой IGBT полумостовой 1200В, 400А, +175°C

Collector Emitter Saturation Voltage	2В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	630А
DC Ток Коллектора	630А
Power Dissipation	2.083кВт
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	2В
Рассеиваемая Мощность	2.083кВт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	Trench Field Stop
Вес, г	4.54