FGHL50T65MQDT, IGBT Transistors IGBT - 650 V 50 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 420 руб.
от 10 шт. —
1 100 руб.
от 25 шт. —
1 010 руб.
от 100 шт. —
646.32 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 420 руб.
Плати частями
от 355 руб. × 4 платежа
от 355 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
The ON Semiconductor 650 V, 50 A FS4 medium switching speed IGBT. This offer the optimum performance by balancing Vce(sat) and Eoff losses and well controllable turnoff Vce overshoot.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Power Dissipation | 268 W |
| Number of Transistors | 30 |
| Package Type | TO-247-3L |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 413 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
