STGF15H60DF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 30 Вт
![Фото 1/2 STGF15H60DF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 30 Вт](https://static.chipdip.ru/lib/457/DOC004457926.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/364/DOC013364475.jpg)
167 шт. со склада г.Москва, срок 8 дней
140 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 12 шт. —
120 руб.
от 24 шт. —
112 руб.
от 50 шт. —
109 руб.
4 шт.
на сумму 560 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 30 Вт
Технические параметры
Корпус | TO-220FP | |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В | |
Collector Emitter Voltage Max | 600В | |
Continuous Collector Current | 30А | |
Power Dissipation | 30Вт | |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
Линейка Продукции | H | |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C | |
Монтаж транзистора | Through Hole | |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V | |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V | |
Configuration: | Single | |
Continuous Collector Current at 25 C: | 30 A | |
Continuous Collector Current Ic Max: | 15 A | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V | |
Maximum Operating Temperature: | +175 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | Through Hole | |
Package / Case: | TO-220-3 FP | |
Packaging: | Tube | |
Pd - Power Dissipation: | 30 W | |
Product Category: | IGBT Transistors | |
Product Type: | IGBT Transistors | |
Series: | STGF15H60DF | |
Subcategory: | IGBTs | |
Technology: | Si | |
Brand | STMicroelectronics | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.6 V | |
Configuration | Single | |
Continuous Collector Current at 25 C | 30 A | |
Continuous Collector Current Ic Max | 15 A | |
Factory Pack Quantity | 1000 | |
Gate-Emitter Leakage Current | 250 nA | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V | |
Maximum Operating Temperature | +175 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | Through Hole | |
Package / Case | TO-220-3 FP | |
Packaging | Tube | |
Pd - Power Dissipation | 30 W | |
Product Category | IGBT Transistors | |
RoHS | Details | |
Series | 600-650V IGBTs | |
Technology | Si | |
Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.