PDTD123YT,215, Bipolar Transistors - Pre-Biased BIPOLAR TRANSISTORS PB
![Фото 1/9 PDTD123YT,215, Bipolar Transistors - Pre-Biased BIPOLAR TRANSISTORS PB](https://static.chipdip.ru/lib/927/DOC032927082.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/174/DOC007174630.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/799/DOC038799595.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/154/DOC003154219.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/436/DOC004436272.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/556/DOC006556585.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC021413223.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/620/DOC035620894.jpg)
921000 шт., срок 6 недель
10 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 12000 шт. —
8.90 руб.
от 30000 шт. —
8.28 руб.
3000 шт.
на сумму 30 000 руб.
Плати частями
от 7 500 руб. × 4 платежа
от 7 500 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors
Описание Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,5А, 250мВт, SOT23, R2: 10кОм Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.3 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Typical Resistor Ratio | 0.22 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Length | 3mm |
Transistor Configuration | Single |
Brand | Nexperia |
Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
Maximum Continuous Collector Current | 500 mA |
Package Type | SOT-23 (TO-236AB) |
Mounting Type | Surface Mount |
Minimum Operating Temperature | -65 °C |
Width | 1.4mm |
Transistor Type | NPN |
Height | 1mm |
Pin Count | 3 |
Dimensions | 3 x 1.4 x 1mm |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Typical Input Resistor | 2.2 kΩ |
Minimum DC Current Gain | 70 |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 3 mm |
Другие названия товара № | PDTD123YT T/R |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
Пиковый постоянный ток коллектора | 500 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 2.2 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 0.219 |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.4 mm |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Maximum DC Collector Current | 500mA |
Pd - Power Dissipation | 250mW |
RoHS Compliant | Yes |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 68 КБ
Datasheet PDTD123YT,215
pdf, 241 КБ
Datasheet PDTD123YT.215
pdf, 234 КБ
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.