SM8S33AHE3-A/I, ESD Suppressors / TVS Diodes TVS 8W UNI
![Фото 1/4 SM8S33AHE3-A/I, ESD Suppressors / TVS Diodes TVS 8W UNI](https://static.chipdip.ru/lib/634/DOC044634695.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/520/DOC006520656.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/681/DOC040681761.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/681/DOC040681767.jpg)
430 руб.
Кратность заказа 750 шт.
от 1500 шт. —
420 руб.
от 2250 шт. —
411 руб.
от 3750 шт. —
403.21 руб.
750 шт.
на сумму 322 500 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Circuit Protection\ESD Suppressors / TVS Diodes
Описание Диод защитный, 5,2кВт, 36,7В, 124А, однонаправленный, DO218AB Характеристики Категория | Диод |
Тип | защитный |
Технические параметры
Iпи - пиковый импульсный ток | 124 A |
Pd - рассеивание мощности | 8 W |
Pppm - пиковое рассеивание мощности | 6.6 kW |
Vf - прямое напряжение | 1.8 V |
Другие названия товара № | SM8S33ATHE3/I |
Категория продукта | Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных с |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | PAR |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение пробоя | 36.7 V |
Напряжение фиксации | 53.3 V |
Подкатегория | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes |
Полярность | Unidirectional |
Рабочее напряжение | 33 V |
Размер фабричной упаковки | 750 |
Серия | SM8S_A |
Тип выводов | SMD/SMT |
Тип продукта | ESD Suppressors |
Торговая марка | Vishay General Semiconductor |
Упаковка / блок | DO-218AB-2 |
Clamping Voltage | 53.3(V) |
Leakage Current (Max) | 0.01(uA) |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 175C |
Operating Temperature Classification | Military |
Package Type | DO-218AB |
Packaging | Tape and Reel |
Peak Pulse Current | 124(A) |
Peak Pulse Power Dissipation | 6600(W) |
Pin Count | 1+Tab |
Polarity | Uni-Directional |
Rad Hardened | No |
Reverse Breakdown Voltage | 36.7(V) |
Reverse Stand-off Voltage | 33(V) |
Test Current (It) | 5(mA) |
Diode Configuration | Single |
Direction Type | Uni-Directional |
Maximum Clamping Voltage | 53.3V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Peak Pulse Current | 124A |
Maximum Reverse Leakage Current | 10µA |
Maximum Reverse Stand-off Voltage | 33V |
Minimum Breakdown Voltage | 36.7V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Test Current | 5mA |
Width | 8.7mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 119 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 89 КБ
Документация
pdf, 99 КБ
Диоды защитные импортные
pdf, 732 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды защитные (TVS)»
Типы корпусов импортных диодов