SS16T3G, Диод IШоттки SMD (60В 1А SMA)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
21 руб.
1 шт.
на сумму 21 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Посмотреть аналоги7
Описание
This ON Semiconductor Schottky power rectifier employs the Schottky barrier principle using a barrier metal to create the best forward voltage drop−reverse current exchange.
Технические параметры
| Average Rectified Current (Io) | 1A |
| Forward Voltage (Vf@If) | 720mV@1A |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 200uA@60V |
| Reverse Voltage (Vr) | 60V |
| Diode Configuration | Single |
| Diode Technology | Schottky Barrier |
| Diode Type | Schottky |
| Maximum Continuous Forward Current | 1A |
| Maximum Forward Voltage Drop | 720mV |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DO-214AC(SMA) |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 40A |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 60V |
| Pin Count | 2 |
| Rectifier Type | Schottky Rectifier |
| Вес, г | 0.26 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 148 КБ
Datasheet SBRA8160T3G
pdf, 134 КБ
Datasheet SS16T3G
pdf, 136 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды Шоттки»
Типы корпусов импортных диодов
