IXGH30N120B3D1 IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 850 руб.

Кратность заказа 30 шт.

Добавить в корзину 30 шт. на сумму 85 500 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8025731748

Артикул: IXGH30N120B3D1

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.

Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	50 A
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Pd - рассеивание мощности	300 W
Вид монтажа	Through Hole
Высота	21.46 mm
Диапазон рабочих температур	55 C to + 150 C
Длина	16.26 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	GenX3
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.96 V
Непрерывный коллекторный ток	30 A
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	50 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	150 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	30
Серия	IXGH30N120
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247AD-3
Ширина	5.3 mm