FP25R12W2T4B11BOMA1 IGBT Module, 39 A 1200 V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 890 руб.
Кратность заказа 15 шт.
Добавить в корзину 15 шт.
на сумму 253 350 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 50 A and maximum collector-emitter saturation voltag 2.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 39 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
Maximum Power Dissipation | 175 W |
Number of Transistors | 7 |
Base Product Number | FP25R12 -> |
Configuration | Three Phase Inverter |
Current - Collector (Ic) (Max) | 39A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input | Standard |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 1.45nF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Chassis Mount |
NTC Thermistor | Yes |
Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Bulk |
Package / Case | Module |
Power - Max | 175W |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | Module |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 25A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 678 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем