HUF75344P3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 75А, 285Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
720 руб.
1 шт.
на сумму 720 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Транзисторы
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 75А, 285Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Вид | MOSFET |
| Тип | полевой |
| Id - непрерывный ток утечки | 75 A |
| Pd - рассеивание мощности | 285 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 125 ns |
| Время спада | 57 ns |
| Высота | 16.3 mm |
| Длина | 10.67 mm |
| Другие названия товара № | HUF75344P3_NL |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | UltraFET |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Серия | HUF75344P3 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 46 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.7 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 75 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 8 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 285 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Series | UltraFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 175 nC @ 20 V |
| Width | 4.7mm |
| Вес, г | 1.98 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
