2N7002W, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 115мА, 0.2Вт
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
1000 шт. со склада г.Москва, срок 8-10 дней
5 руб.
Мин. кол-во для заказа 99 шт.
от 448 шт. —
4 руб.
от 895 шт. —
2.80 руб.
99 шт.
на сумму 495 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 115мА, 0.2Вт
Технические параметры
Корпус | sot-323 | |
Continuous Drain Current (Id) | 300mA | |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.5Ω@10V, 500mA | |
Drain Source Voltage (Vdss) | 60V | |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 30.5pF | |
Power Dissipation (Pd) | 200mW | |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4.1pF | |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.12nC | |
Type | N Channel | |
Вес, г | 0.03 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.